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看一看:看一看;3D-TSV技术引领封装革命

发布时间:2021-11-18 13:33:55 阅读: 来源:封头厂家

为了延续摩尔定律的增长趋势,芯片技术已来到所谓的“超越摩尔定律”的3D集成时期。从IDM到无晶圆厂和CMOS晶圆厂农村土地征收款收费标准城中村改造的房子有房产证吗,从外包半导体封测厂到基板与电路装配运营商,全部产业供应链都触及在内棚户区改造什么意思。硅直通孔3D集成技术 (3D-TSV)将加速CMOS晶圆厂的合并、和向无晶圆厂模式转变的趋势。据市场研究公司Yole Developpement统计,到2015年,3D-TSV晶圆的出货量将达数百万,并可能对25%的存储器业务产生影响。2015年,除存储器,3D-TSV晶圆在全部半导体产业的份额也将超过6%遇强拆如何应对。3D的推动气力3D集成的好处包括可获得更小的外形尺寸,增加封装密度,可以满足带宽要求,提高RF和功耗性能,降落本钱。可靠性也是它的1大优势,由于可以利用3D TSV取代线邦定或倒装互连,利用3D堆叠晶圆级光学元件取代注塑模透镜模组,通过若干层的垂直集成,可制造出可靠性更高的系统。另外,3D技术还能够有力推动新系统在汽车、电信和消费市场等环境卑鄙且空间受限的利用环境中的使用。Yole公司表示,今年WL-CSP CMOS图像传感器将从边沿互连结构转向真实的3D-TSV架构。根据开发方案的具体要求,通孔将被部分填充铜或是完全填充多晶硅或钨。I/O的数目将扩大至每芯片数百互连现在可以强拆吗,同时有在图像传感器下堆叠DSP的趋势。3D 技术还有益于MEMS与其ASIC的整合。无线系统级封装(SiP)将能够整合不同光刻节点的异质层和不同基板。RAM存储器将是首批采取3D堆叠技术的市场,但未来会有越来越多的闪存被集成在多芯片封装、叠层封装、SiP、手机卡插槽和固态硬盘中。满足多种需求3D晶圆级封装平台已投入使用,可用背面有通孔的晶圆来生产CMOS图像传感器。它的利用范围还将扩大到功率放大器模块。而且,针对堆叠存储器和逻辑芯片的3D TSV堆叠平台也在开发中。向前通孔(Via-First)结构转变是另外1个发展趋势,目前通孔直径可小至1⑸μm,互连数目可达每芯片500⑵,000。同时,1些MEMS利用也开始采取3D 内插器模块平台来整合ASIC 和 MEMS芯片。这类技术平台还可能利用到许多SiP利用中。图1:增长领域:3D封装技术首先用于图像传感器,然后将进入半导体各个领域其实不断增长

图2:技术分析:到2013年,59%的3D TSV封装芯片将采取堆叠情势

图3:制作芯片:在设计方案提出以后,设备和材料就成为制造3D-TSV IC的关键因素,而它们的市场范围将分别在2013 和 2015年到达10亿美元。

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